Numărul de produs al producătorului:
TSM60NC620CI C0G
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM60NC620CI C0G-DG
Descriere:
600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventar:
4000 Piese Noi Originale În Stoc
12922970
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM60NC620CI C0G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
506 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
46W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ITO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TSM60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1801-TSM60NC620CIC0G
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NTE491
MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92
ATP404-TL-H
MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK
NTE454
MOSFET-DUAL GATE N-CH
